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2021/12/16
TSMC、改良版5nmプロセス「N4X」での半導体試作を2023年上半期に開始
台湾メディア経済日報が、TSMCは5nmプロセスの改良版である「N4X」での半導体試作を、2023年上半期（1月〜6月）に開始すると報じました。
動作電圧、周波数が向上
経済日報によれば、TSMCは5nmプロセスでの量産経験をもとに、改良版であるN4X での半導体製造技術を完成させたとのことです。
N4Xは1.2ボルトを超える電圧での動作が可能で、5nmプロセス「N5」よりも最大15%、4nmプロセスである「N4P」よりも最大4%高い性能を発揮します。
これにより、N4XはTSMCの5nmプロセスファミリーで最高の性能と動作周波数の向上が得られる見通しで、ハイパフォーマンス・コンピューティング向けの高い要求を満たすことが可能と期待されています。
3nmプロセスでの半導体試作も開始
TSMCはN4Xよりも先に、同社初となる3nmプロセス「N3」での半導体試作を開始したとみられています。
Source:経済日報
Photo:VideoCardz
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